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ga2o3 substrate single crystal 온라인 제조

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0.6 밀리미터 0.8 밀리미터 Ga2O3은 결정 기판 한 개의 끝마무리를 선발합니다
접촉

10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm ... 자세히보기

2024-10-29 11:49:58

10x15mm2 UID 도핑된 프리 스탠딩 Ga2O3 웨이퍼 단일 연마
접촉

JDCD04-001-005 10x15mm2(-201)UID-Doped Free-Standing Ga2O3 Single Crystal Substrate Product Grade Single Polishing 10x15mm2(-201)UID-doped free... 자세히보기

2022-09-27 16:57:32

10x10mm Ga2O3 웨이퍼 10x15mm 단결정체 기판
접촉

10x15mm2(-201)UID-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.5nm ... 자세히보기

2022-09-27 16:57:06

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GaN 에피택셜 웨이퍼

원문대로 에피택셜 웨이퍼

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GaN 에피택셜 웨이퍼

2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형

Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

2인치 독립형 SI-GaN 기판

원문대로 에피택셜 웨이퍼

Beveling SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H 결정 형태 SiC 에피택셜 웨이퍼 웨이퍼 가장자리 베벨링 350.0um ± 25.0um

단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP