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제품 소개Ga2O3 웨이퍼

0.6 밀리미터 0.8 밀리미터 Ga2O3은 결정 기판 한 개의 끝마무리를 선발합니다

인증
중국 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. 인증
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0.6 밀리미터 0.8 밀리미터 Ga2O3은 결정 기판 한 개의 끝마무리를 선발합니다

0.6 밀리미터 0.8 밀리미터 Ga2O3은 결정 기판 한 개의 끝마무리를 선발합니다
0.6mm 0.8mm Ga2O3 Single Crystal Substrate Single Polishing
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제품 상세 정보:
원래 장소: 스초우 중국
브랜드 이름: GaNova
인증: UKAS/ISO9001:2015
모델 번호: JDCD04-001-001&002
결제 및 배송 조건:
포장 세부 사항: 클래스 10000 클린룸 환경에서 6개 카세트 또는 단일 웨이퍼 컨테이너로 진공 포장합니다.
배달 시간: 3~4주

0.6 밀리미터 0.8 밀리미터 Ga2O3은 결정 기판 한 개의 끝마무리를 선발합니다

설명
상품 이름: 단결정체 기판 배향: (201)
피연마면: 일 측면은 광택이 났습니다 FWHM: <350arcsec>
Ra: ≤0.3nm 두께: 0.6~0.8mm
강조하다:

Ga2O3 단결정체 기판

,

산화갈륨은 0.6 밀리미터를 웨이퍼로 만듭니다

,

0.8 밀리미터 단결정체 기판

10x10mm2 (-201) 철 첨가 자유 고정 Ga2O3 단결정체 기판 생성물 등급 한 개의 마멸 두께 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec,Ra≤0.3 nm 광 전자 장치와 반도체 물질의 절연층과 UV 필터

갈륨 나이트라이드 (GaN) 기판이 고품질 결정성 기판입니다. 그것은 수년 동안 개발된 원래 원래 HVPE 방식과 웨이퍼 처리 공정 기술로 만들어집니다. 조수석은 높은 수정같은, 좋은 균일성과 뛰어난 표면 품질입니다.

이 검토의 목적은 증가, 처리와 가장 폭넓게 연구된 다형체, β-Ga2O3의 장치 성능으로 최근 진보를 요약하는 것입니다. 크기, 에피이고 나노구조 재료, p-타입 도핑에서 어려움과 에칭과 같은 처리 기법의 개발, 접촉 형성, 게이트 형성을 위한 유전체와 패시베이션의 교통과 광학의 특성 위의 결손과 음란의 역할 논의됩니다.

갈륨 질화물 기판--제품 레벨
차원 10*15mm 10*10mm
두께 0.6~0.8mm
배향 (201)
도핑 Fe 스킨
피연마면 일 측면은 광택이 났습니다
저항률 / 드-나 / <9e18>
FWHM <350arcsec>
Ra ≤0.3nm
패키지 질소 분위기 하에, 수업 100 클린 룸 환경에서 패키징됩니다

우리에 대하여

우리는 다양한 재료를 웨이퍼로 처리하는 것을 전문으로 합니다, 기판과 주문 제작된 광학유리 parts.components가 넓게 전자공학, 광학, 옵토 일렉트로닉스와 많은 다른 분야에 사용했습니다. 우리가 또한 밀접하게 많은 국내이고 해외 대학, 조사 기관과 회사와 함께 일했다고 그들의 연구 개발 사업을 위한 주문 제작된 제품 및 서비스가 규정합니다. 우리의 좋은 평판에 의해 우리의 모든 고객들과 협력의 좋은 관계를 유지하는 것은 우리의 비전입니다.

FAQ

큐 : 당신이 업체 또는 제조를 거래하고 있습니까 ?
우리는 공장입니다.
큐 : 오랫동안 당신의 배달 시간은 어떻습니까?
일반적으로 상품이 주식에 있다면 그것은 3-5 일입니다.
또는 상품이 주식에 없으면 그것은 7-10 일입니다, 양에 따른 중입니다.
큐 : 당신은 샘플을 제공합니까 ? 그것이 자유롭거나 여분입니까 ?
예, 우리는 자유 전하를 위한 샘플을 제공할 수 있지만, 화물의 비용을 지불하지 않습니다.
큐 : 당신의 결제 조건이 무엇입니까 ?
입금 <> 페이맨 >=5000USD, 사전에 80% 전신환, 시립먼트 앞에 있는 잔액.

연락처 세부 사항
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

담당자: Xiwen Bai (Ciel)

전화 번호: +8613372109561

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