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제품 소개Ga2O3 웨이퍼

Ra 0.3nm Ga2O3 단결정 에피택셜 웨이퍼 2 인치 4 인치

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중국 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. 인증
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Ra 0.3nm Ga2O3 단결정 에피택셜 웨이퍼 2 인치 4 인치

Ra 0.3nm Ga2O3 단결정 에피택셜 웨이퍼 2 인치 4 인치
Ra 0.3nm Ga2O3 단결정 에피택셜 웨이퍼 2 인치 4 인치

큰 이미지 :  Ra 0.3nm Ga2O3 단결정 에피택셜 웨이퍼 2 인치 4 인치

제품 상세 정보:
원래 장소: 스초우 중국
브랜드 이름: GaNova
인증: UKAS/ISO9001:2015
모델 번호: JDCD04-001-001&002
결제 및 배송 조건:
포장 세부 사항: 클래스 10000 클린룸 환경에서 6개 카세트 또는 단일 웨이퍼 컨테이너로 진공 포장합니다.
배달 시간: 3~4주

Ra 0.3nm Ga2O3 단결정 에피택셜 웨이퍼 2 인치 4 인치

설명
상품 이름: 단결정체 기판 두께: 0.6~0.8mm
배향: (201) FWHM: <350arcsec>
피연마면: 일 측면은 광택이 났습니다 Ra: ≤0.3nm
강조하다:

Ga2O3 에피택셜 웨이퍼 2인치

,

단결정 기판 4인치

,

단결정 에피택셜 웨이퍼

Ra≤0.3nm 단결정 기판 두께 0.6~0.8mm 오리엔테이션(-201)

10x10mm2(-201) Fe 도핑 독립 Ga2영형단결정 기판 제품 등급 단일 연마 두께 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec,Ra≤0.3nm 광전자 소자, 반도체 재료의 절연층, UV 필터

 

Ga에 대한 출판물 수2영형기존 기술을 능가하는 기능을 갖춘 전자 및 광소자에 대한 관심으로 인해 그림 1에서 알 수 있듯이 최근 몇 년 동안 가속화되었습니다.Ga의 특성에 대한 실험적 및 이론적 조사의 건전한 균형이 이루어졌습니다.2영형체계

 

 

질화 갈륨 기질--제품 수준
치수 10*15mm 10*10mm
두께 0.6~0.8mm
정위 (201)
도핑 주석
광택 표면 단면 연마
비저항/Nd-Na / <9E18
FWHM <350arcsec
≤0.3nm
패키지 클래스 100 클린룸 환경, 질소 분위기에서 포장

 

 

회사 소개

우리는 전자, 광학, 광전자 및 기타 여러 분야에서 널리 사용되는 웨이퍼, 기판 및 맞춤형 광학 유리 부품으로 다양한 재료를 가공하는 것을 전문으로 합니다.우리는 또한 많은 국내 및 해외 대학, 연구 기관 및 기업과 긴밀히 협력하여 R&D 프로젝트를 위한 맞춤형 제품 및 서비스를 제공하고 있습니다.좋은 평판을 통해 모든 고객과 좋은 협력 관계를 유지하는 것이 우리의 비전입니다.

 

 

자주하는 질문

Q: 당신은 무역 회사입니까 아니면 제조업체입니까?
우리는 공장입니다.
Q: 배달 시간은 얼마나 걸립니까?
상품의 재고가 있는 경우 일반적으로 3-5일입니다.
또는 상품의 재고가 없는 경우 7-10일입니다. 수량에 따라 다릅니다.
Q: 샘플을 제공합니까?무료인가요 추가인가요?
예, 샘플을 무료로 제공할 수 있지만 운임은 지불하지 않습니다.
Q: 지불 조건은 무엇입니까?
결제 <=5000USD, 100% 선불.
Paymen >=5000USD, 미리 80% T/T, shippment 전에 균형.

 

연락처 세부 사항
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

담당자: Xiwen Bai (Ciel)

전화 번호: +8613372109561

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