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제품 상세 정보:
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| 상품 이름: | 2 인치 프리-스탠딩 n-형 갈륨-질소 기판 | 차원: | 50.0 ±0.3mm |
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| 두께: | 400 ± 30μm | 배향 평판: | (1- 100) ±0.1˚, 12.5 ± 1 밀리미터 |
| TTV: | ≤ 10 um | 활: | ≤ 20μm |
| 강조하다: | Ｃ 표면 GaN 기판,갈륨-질소 반도체 기판,실리콘 도핑된 갈륨-질소 기판 |
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2 인치 C-표면 규소 도핑된 n형 프리-스탠딩 갈륨-질소 단결정 기판 저항률 < 0="">
개관
고항복 전압과 높은 포화속도와 하이 써말 스테빌리티를 포함하여 GaN은 전력 소자에 사용하기 위해 우수한 재료 특성을 가집니다. 크기 갈륨-질소 성장 기술의 최근 진보는 쇼트키 배리어 다이오드와 피-엔 정션 다이오드와 트렌치 금속 산화물 반도체 전계 효과 트렌지스터와 같은 수직 전력 디바이스의 개발을 촉진했습니다.
| 2 인치 프리-스탠딩 n-형 갈륨-질소 기판 | ||||||
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생산 수준(P) |
조사(R) |
가상(D) |
기록 : (1) 5 점 : 5곳 위치들의 미스컷 앵글은 0.55 ±0.15o입니다 (2) 3 점 : 위치들의 미스컷 앵글은 (2, 4, 5)는 0.55 ±0.15o입니다 (3) 사용가능 영역 : 주변과 대형 결점 (홀)의 배제 |
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| P+ | Ｐ | Ｐ- | ||||
| 항목 | GaN-FS-C-N-C50-SSP | |||||
| 차원 | 50.0 ±0.3 밀리미터 | |||||
| 두께 | 400 ± 30 μm | |||||
| 배향 평판 | (1- 100) ±0.1o, 12.5 ± 1 밀리미터 | |||||
| TTV | ≤ 15 μm | |||||
| 활 | ≤ 20 μm | |||||
| 저항률 (300K) | n형을 위한 ≤ 0.02 Ω·cm (규소 도핑된) | |||||
| Ga 표면부 거칠기 | ≤ 0.3 nm (에피택시를 위한 닦고 표면 처리) | |||||
| 엔 표면부 거칠기 | 0.5 ~1.5 μm (일 측면은 광택이 났습니다) | |||||
| M-주축 (미스컷 앵글)을 향한 각도에서 떨어져 있는 Ｃ 비행기 (0001) |
0.55 ± 0.1o (5 점) |
0.55± 0.15o (5 점) |
0.55 ± 0.15o (3 점) |
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| 나사형 디스로케이션 밀도 | ≤ 7.5 Ｘ 105 cm-2 | ≤ 3 Ｘ 106 cm-2 | ||||
| 센터에서 Ф47 밀리미터에 블랙홀의 숫자와 맥스 사이즈 | 0 | ≤ 3@1000 μm | ≤ 12@1500 μm | ≤ 20@3000 μm | ||
| 사용가능 영역 | > 90% | >80% | >70% | |||
| 패키지 | 매엽 컨테이너에서 고청정실에서 패키징됩니다 | |||||
우리에 대하여
우리는 다양한 재료를 웨이퍼로 처리하는 것을 전문으로 합니다, 기판과 주문 제작된 광학유리 parts.components가 넓게 전자공학, 광학, 옵토 일렉트로닉스와 많은 다른 분야에 사용했습니다. 우리가 또한 밀접하게 많은 국내이고 해외 대학, 조사 기관과 회사와 함께 일했다고 그들의 연구 개발 사업을 위한 주문 제작된 제품 및 서비스가 규정합니다. 우리의 좋은 평판에 의해 우리의 모든 고객들과 협력의 좋은 관계를 유지하는 것은 우리의 비전입니다.
FAQ
큐 : 당신이 업체 또는 제조를 거래하고 있습니까 ?
우리는 공장입니다.
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예, 우리는 자유 전하를 위한 샘플을 제공할 수 있지만, 화물의 비용을 지불하지 않습니다.
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전화 번호: +8613372109561
