제품 상세 정보:
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상품 이름: | 4 인치 간-온-사피파이어 파란색 / 녹색 LED 웨이퍼 | 두께: | 650 ± 25μm |
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타입: | 평평한 사파이어 | 니스: | 일 측면은 (SSP) 닦인 / 양측 사이드를 닦았습니다 (DSP) |
차원: | 100 ± 0.2 밀리미터 | 배향: | M-주축 0.2 ± 0.1을 향하여' 각도에서 떨어져 있는 C 비행기 (0001) |
강조하다: | 사파이어 웨이퍼 위의 4 인치 질화 갈륨,푸른 녹색 LED 웨이퍼,사파이어 위의 질화 갈륨은 100 밀리미터를 웨이퍼로 만듭니다 |
4 인치 간-온-사피파이어 파란색 / 녹색 LED 웨이퍼 플랫 사파이어 100 ± 0.2 밀리미터
사파이어 빛 SSP 위의 4 인치 청색 LED GaN 에피택셜 웨이퍼
청색 LED를 위한 핵심 요소는 갈륨 나이트라이드 또는 큰 에너지 분리와 내성 소재 또는 전자와 구멍 사이의, '격차' 입니다 -- 이 격차는 푸른 빛을 생산하기 위해 방출된 광자의 에너지를 조정함에 있어 결정적입니다.
(LEDs) 갈륨 나이트라이드 (GaN)로부터 제조된 발광 다이오드는 효율이 높은 하얀 고체 상태 광원의 실현으로 이어졌습니다.
청색 LED를 생산하는 것의 또 다른 주요 문제점은 정밀과 GaN을 피-도핑에 어려움이었습니다. 1980년대 후반에서, GaN이 징크 원자로 도핑되었을 때, 그것은 더 가벼워서 방출했고 그러므로 이것이 더 좋은 p-도핑을 주었다는 것을 아마노와 아카사키는 알아냈습니다. 이 현상은 나중에 나카무라에 의해 사설에서 설명받았습니다.
4 인치 간-온-사피파이어 파란색 / 녹색 LED 웨이퍼 | ||||
기판 |
타입 | 평평한 사파이어 |
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니스 | 일 측면은 (SSP) 닦인 / 양측 사이드를 닦았습니다 (DSP) | |||
차원 | 100 ± 0.2 밀리미터 | |||
배향 | M-주축 0.2 ± 0.1을 향하여' 각도에서 떨어져 있는 C 비행기 (0001) | |||
두께 | 650 ± 25 μm | |||
에피레이어 |
구조 | 0.2μm pGaN/0.5μm MQWs/2.5μm nGaN/2.0μm 우간 | ||
두께 | 5.5 ± 0.5μm | |||
거칠기 (Ra) | <0> | |||
전위 밀도 | < 5="">8 cm-2 | |||
사고 방식 | 청색 LED | 녹색 LED | ||
465 ± 10 nm | 525 ± 10 nm | |||
사고 방식 프휘엠에스 | < 25="" nm=""> | < 40="" nm=""> | ||
칩 성능 | 컷-인 voltage@1μA | 2.3-2.5V | 2.2-2.4V | |
사용가능 영역 | > 90% (모서리와 대형 결점 배제) | |||
패키지 |
한 개의 웨이퍼 컨테이너에서 고청정실에서 패키징됩니다 |
우리에 대하여
우리는 다양한 재료를 웨이퍼로 처리하는 것을 전문으로 합니다, 기판과 주문 제작된 광학유리 parts.components가 넓게 전자공학, 광학, 옵토 일렉트로닉스와 많은 다른 분야에 사용했습니다. 우리가 또한 밀접하게 많은 국내이고 해외 대학, 조사 기관과 회사와 함께 일했다고 그들의 연구 개발 사업을 위한 주문 제작된 제품 및 서비스가 규정합니다. 우리의 좋은 평판에 의해 우리의 모든 고객들과 협력의 좋은 관계를 유지하는 것은 우리의 비전입니다.
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