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제품 상세 정보:
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| 상품 이름: | CVD 다이아몬드 기판 | 파괴인성(MPa·m1/2): | 1~8 |
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| 마찰계수: | 0.1 | 열전도율(300K,Wm·K): | 1000~2000 |
| 광 투과율: | 225nm ~ 원적외선 | 밴드 갭 폭(ev): | 5.47 |
| 비저항(Ω·cm): | ＞10¹º | 전자 이동도(cm2/V·S): | 4500 |
| 강조하다: | 전자등급 단일 결정 다이아몬드,10*10mm2*0.3mm 단일 크리스탈 다이아몬드 |
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10*10mm2*0.3mm 전자 등급 단일 결정 diamond,N 내용<100ppb>
개관
단결정 다이아몬드 웨이퍼는 5G 통신과 위성을 위해 사용된 양쪽 RF 파워 테크놀러지의 비판적 발전을 가능하게 합니다 ; 파워 전자 장치에서 전기 자동차에 사용했습니다 뿐만 아니라.
CVD는 화학적 증기 증착, 뉴다이아몬드를 형성하기 위한 다이아몬드 기동 장치를 약 모은 탄소 원자 안으로 메탄과 같은 천연가스를 파괴하는 과정을 의미합니다. 처리는 크리스탈이 채색을 제거하기 위해 열과 압력 처리를 겪는 진공 챔버에서 발생합니다.
상술
| 특성 | 인조 다이아몬드 | |
| Density(g/cm3) | 3.515 | 고유한 성질 |
| 영의 기준(GaP) | 1050 |
기계적인 특성 |
| 견고성(GaP) |
70~120single 크리스탈 다결정질인 60~100 |
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| 파괴강도 |
2.5-3GPasingle 크리스탈 다결정질인 200-1100MPa |
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| 파괴 toughness(MPa·m1/2) | 1~8 | |
| 피르션 계수 | 0.1 | |
| 열 전도성(300K,Wm·K) | 1000~2200 | 열 속성 |
| 열 확장(×10-6/C)의 계수 | 1 (실온) | |
| 레르프랙티브 지수(590nm) | 2.4 | 광학의 특성 |
| 광 투과율 | 적외선 영역 넘어의에 대한 225nm | |
| 밴드 갭 폭(EV) | 5.47 | 전기적 성질 |
| 저항률(Ω·cm) | >1010 | |
| 전자 mobility(cm2/V·S) | 4500 | |
| 홀 mobility(cm2/V·S) | 3800 | |
| 유전체 상수 | 5.5 | 유전 특성 |
| 유전 손실 | <2×10-4 |
우리에 대하여
우리는 다양한 재료를 웨이퍼로 처리하는 것을 전문으로 합니다, 기판과 주문 제작된 광학유리 parts.components가 넓게 전자공학, 광학, 옵토 일렉트로닉스와 많은 다른 분야에 사용했습니다. 우리가 또한 밀접하게 많은 국내이고 해외 대학, 조사 기관과 회사와 함께 일했다고 그들의 연구 개발 사업을 위한 주문 제작된 제품 및 서비스가 규정합니다. 우리의 좋은 평판에 의해 우리의 모든 고객들과 협력의 좋은 관계를 유지하는 것은 우리의 비전입니다.
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예, 우리는 자유 전하를 위한 샘플을 제공할 수 있지만, 화물의 비용을 지불하지 않습니다.
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