| 폴리타입: | 4h | 지름: | 100.0mm±0.5mm |
|---|---|---|---|
| 캐리어 형태: | n형 | 저항률: | 0.015~0.028ohm.cm |
| 1차 플래트 배향: | {10-10}±5.0' | 1차 평면 길이: | 32.5mm±2.0mm |
| 강조하다: | 32.5 밀리미터 탄화 규소 결정,sic 결정핵 100.0 밀리미터,탄화 규소 결정 4 " |
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1차 플래트 길이 32.5mm±2.0mm sic 결정핵 4 " Ｐ 등급 100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm
sic 결정핵 4 " 피그라데
SiC는 애벌런치 항복을 겪지 않고 Si 또는 GAA 보다 더 큰 8 번 동안 전압 물매 (또는 전기장에) 견딜 수 있습니다. 이 높은 파괴전계는 고전력 마이크로파 소자와 더불어, 다이오드, 전력 트랜지스터, 파워 다이리스터와 서지 흡수기들과 같은 매우 하이-볼타게, 고전력 장치의 제작을 가능하게 합니다. 덧붙여, 그것은 매우 위치되기 위한 장치가 집적 회로에게 높은 디바이스 기록 밀도를 제공하면서, 함께 마감되도록 허락합니다.
| 6 인치 sic 인곳 상술 | ||
| 등급 | 생산 등급 | 가짜 등급 |
| 토폴리타입 | 4H | |
| 지름 | 100.0mm±0.5mm | |
| 캐리어 형태 | n형 | |
| 저항률 | 0.015~0.028ohm.cm | |
| 배향 | 4.0' ±0.2' | |
| 1차 플래트 배향 | {10-10}±5.0' | |
| 1차 플래트 길이 | 32.5mm±2.0mm | |
| 2차 플래트 배향 | Si 면 :90' cw.from 중요한 flat±5' | |
| 2차 플래트 길이 | 18.0mm±2.0mm | |
| 고강도 빛에 의한 에지 균열 | 광선의에서 ≤1mm | 광선의에서 ≤3mm |
| 고강도 빛에 의한 마법 플레이트 | Size<1mm, 누적된 area<1% | 누적된 area<5% |
| 고강도 빛에 의한 폴리타입 지역 | 어떤 것 | ≤5%area |
| 마이크로파이프 비중 | 그것은 파괴적 시험입니다. 어떠한 불일치 면, 공급자 재검사를 위한 샘플은 고객에 의해 제공되어야 합니다. |
그것은 파괴적 시험입니다. 어떠한 불일치 면, 공급자 재검사를 위한 샘플은 고객에 의해 제공되어야 합니다.
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| 가장 자리 칩 | 최대 길이와 폭 1 밀리미터와 ≤1 | 최대 길이와 폭 3 밀리미터와 ≤3 |
우리에 대하여
우리는 다양한 재료를 웨이퍼로 처리하는 것을 전문으로 합니다, 기판과 주문 제작된 광학유리 parts.components가 넓게 전자공학, 광학, 옵토 일렉트로닉스와 많은 다른 분야에 사용했습니다. 우리가 또한 밀접하게 많은 국내이고 해외 대학, 조사 기관과 회사와 함께 일했다고 그들의 연구 개발 사업을 위한 주문 제작된 제품 및 서비스가 규정합니다. 우리의 좋은 평판에 의해 우리의 모든 고객들과 협력의 좋은 관계를 유지하는 것은 우리의 비전입니다.
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