| 캐리어 형태: | n형 | 저항률: | 0.015~0.028ohm.cm |
|---|---|---|---|
| 배향: | 4.0°±0.2° | 1차 플래트 배향: | {10-10}±5.0' |
| 1차 평면 길이: | 32.5mm±2.0mm | 2차 플래트 배향: | Si 면 :90' cw.from 중요한 flat±5' |
| 강조하다: | 0.015ohm.cm 실리콘 카바이드 크리스탈,N 유형 sic 크리스탈,실리콘 카바이드 크리스탈 32.5mm |
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0.015~0.028ohm.Cm SiC 종자 결정 4" P 등급 N형 방향 4.0°±0.2°
SiC 종자 결정 4" P등급
SiC CRYSTAL은 초고순도 실리콘 카바이드 그레인 또는 분말로, 불순물을 극도로 낮추도록 특별히 제조되었습니다.녹색 또는 검은색 실리콘 카바이드와 달리 불순물 수준이 너무 낮아 기존 측정 기술로는 불순물의 존재를 감지할 수 없기 때문에 SiC Crystal 내의 불순물을 측정하는 데 사용됩니다.SiC Crystal은 요구 사항에 따라 다양한 수준의 순도와 맞춤형 크기로 제공됩니다.
| 6inch SiC 잉곳 사양 | ||
| 등급 | 생산 등급 | 더미 등급 |
| 폴리타입 | 4시간 | |
| 지름 | 100.0mm±0.5mm | |
| 캐리어 유형 | N형 | |
| 비저항 | 0.015~0.028ohm.cm | |
| 정위 | 4.0°±0.2° | |
| 기본 평면 방향 | {10-10}±5.0° | |
| 1차 평면 길이 | 32.5mm±2.0mm | |
| 보조 평면 방향 | Si 얼굴: 90°cw.from 1 차적인 flat±5° | |
| 보조 플랫 길이 | 18.0mm±2.0mm | |
| 고강도 빛에 의한 가장자리 균열 | 방사형에서 ≤1mm | 방사형에서 ≤3mm |
| 고강도 조명에 의한 Hex Plates | 크기 <1mm, 누적 면적 <1% | 누적면적<5% |
| 고강도 조명에 의한 폴리타입 영역 | 없음 | ≤5%면적 |
| 마이크로파이프 밀도 | 파괴적인 실험입니다.의견이 일치하지 않는 경우 공급자 재시험을 위한 샘플은 고객이 제공해야 합니다. |
파괴적인 실험입니다.의견이 일치하지 않는 경우 공급자 재시험을 위한 샘플은 고객이 제공해야 합니다.
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| 에지 칩 | 최대 길이 및 너비가 1mm인 ≤1 | 최대 길이 및 너비가 3mm인 ≤3 |
회사 소개
우리는 전자, 광학, 광전자 및 기타 여러 분야에서 널리 사용되는 웨이퍼, 기판 및 맞춤형 광학 유리 부품으로 다양한 재료를 가공하는 것을 전문으로 합니다.우리는 또한 많은 국내 및 해외 대학, 연구 기관 및 기업과 긴밀히 협력하여 R&D 프로젝트를 위한 맞춤형 제품 및 서비스를 제공하고 있습니다.좋은 평판을 통해 모든 고객과 좋은 협력 관계를 유지하는 것이 우리의 비전입니다.
자주하는 질문
Q: 당신은 무역 회사입니까 아니면 제조업체입니까?
우리는 공장입니다.
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상품의 재고가 있는 경우 일반적으로 3-5일입니다.
또는 상품의 재고가 없는 경우 7-10일입니다. 수량에 따라 다릅니다.
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예, 샘플을 무료로 제공할 수 있지만 운임은 지불하지 않습니다.
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결제 <=5000USD, 100% 선불.
Paymen >=5000USD, 미리 80% T/T, shippment 전에 균형.
담당자: Xiwen Bai (Ciel)
전화 번호: +8613372109561
