제품 상세 정보:
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상품 이름: | 갈륨-질소 단결정체 기판 | 차원: | 5 X 10mm2 |
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두께: | 350 ±25um | TTV: | ≤ 10 um |
활: | - 10 um ≤ 활 ≤ 10 um | 대형 결함밀도: | 0cm⁻² |
강조하다: | 갈륨-질소 단결정체 기판,갈륨 나이트라이드 앤형 웨이퍼,단결정체 기판 5x10.5mm2 |
5*10mm2 M-표면은 n형 프리-스탠딩 갈륨-질소 단결정 기판 저항률을 도프하지 않았습니다 < 0="">
개관
그들의 사파이어 기판으로부터의 GaN 에피레이어의 레이저 유도된 분리의 다양한 물리적인 측면과 잠재적 응용은 검토됩니다. GaN의 열분해에 대해 짧은 레이져 펄스의 효과와 이 물질의 빠른 에칭을 위한 GaN의 레이저 유도된 분리의 가능한 적용은 논의됩니다. 중점은 두께가 사파이어 기판으로부터 3에서 300 μm의 범위이면서 큰 영역 갈륨질화물 필름의 저결함 디라미네이션에 위치합니다.
M는 프리-스탠딩 GaN 기판에 직면합니다 | ||||
항목 |
간-FS-M-U-S
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간-FS-M-N-S
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간-FS-M-SI-S |
발언 : 순환 아크 각도 (R < 2="" mm=""> |
차원 | 5 X 10 mm2 | |||
두께 | 350 ±25 um | |||
배향 |
A-주축 0 ±0.5를 향하여' M 비행기 (1- 100) 오프 앵글 M는 C-주축을 향하여 (1- 100) 오프 앵글을 편평하게 합니다 - 1 ±0.2' |
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도전 타입 | n형 | n형 | 반 절연 | |
저항률 (300K) | < 0=""> | < 0=""> | > 106 Ω·cm | |
TTV | ≤ 10 um | |||
활 | - 10 um ≤ 활 ≤ 10 um | |||
전면 거칠기 |
< 0=""> 또는 < 0=""> |
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뒷 표면 거칠기 |
0.5 ~1.5 μm 선택 : 1~3 nm (미세 지면) ; < 0=""> |
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전위 밀도 | 1 X 105에서부터 3 X 106 cm-2 | |||
대형 결함밀도 | 0 cm-2 | |||
사용가능 영역 | > 90% (에지 배제) | |||
패키지 | 질소 분위기 하에 6 PCS 컨테이너의, 수업 100 클린 룸 환경에서 패키징됩니다 |
부록 : 미스컷 앵글의 다이어그램
δ1= 0 ±0.5 도 면, 그리고 나서 A-주축을 향한 M 비행기 (1- 100) 오프 앵글은 0 ±0.5 도입니다.
δ2= - 1 ±0.2 도 M 비행기 (1- 100) 오프 앵글은 C-주축을 향하여 있습니다 - 1 ±0.2 도.
우리에 대하여
우리는 다양한 재료를 웨이퍼로 처리하는 것을 전문으로 합니다, 기판과 주문 제작된 광학유리 parts.components가 넓게 전자공학, 광학, 옵토 일렉트로닉스와 많은 다른 분야에 사용했습니다. 우리가 또한 밀접하게 많은 국내이고 해외 대학, 조사 기관과 회사와 함께 일했다고 그들의 연구 개발 사업을 위한 주문 제작된 제품 및 서비스가 규정합니다. 우리의 좋은 평판에 의해 우리의 모든 고객들과 협력의 좋은 관계를 유지하는 것은 우리의 비전입니다.
FAQ
큐 : 당신이 업체 또는 제조를 거래하고 있습니까 ?
우리는 공장입니다.
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또는 상품이 주식에 없으면 그것은 7-10 일입니다, 양에 따른 중입니다.
큐 : 당신은 샘플을 제공합니까 ? 그것이 자유롭거나 여분입니까 ?
예, 우리는 자유 전하를 위한 샘플을 제공할 수 있지만, 화물의 비용을 지불하지 않습니다.
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입금 <>
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