홈 제품 소개polished sapphire wafers 온라인 제조업체

모든 제품

GaN 에피택셜 웨이퍼
(62)

원문대로 에피택셜 웨이퍼
(28)

GaAs 에피 웨이퍼
(15)

CVD 다이아몬드 기판
(15)

급속 열 처리 시스템
(2)

홀 효과 센서 테스터
(3)

알루미늄 질화물 웨이퍼
(21)

레이저다이오드 칩
(10)

탄화 규소 결정
(12)

Ga2O3 웨이퍼
(13)

실리콘 웨이퍼
(26)

사파이어 웨이퍼
(19)

무늬가 있는 사파이어 기판
(10)

테플론 웨이퍼 홀더
(1)

웨이퍼 다이싱 머신
(5)

인증

제가 지금 온라인 채팅 해요

polished sapphire wafers 온라인 제조

(48)

사파이어 빛 SSP 두께 5 um - 6 um 위의 100 밀리미터 4 인치 청색 LED GaN 에피택셜 웨이퍼
접촉

2022-10-08 17:07:51

닦는 2inch 알루미늄 질화물 웨이퍼 단 하나 또는 두 배 측
접촉

2022-09-27 15:44:55

티에치케이 430 um 사파이어 기판 결정 방위 C/M0.2
접촉

2023-02-17 10:18:05

사파이어 웨이퍼 SSP Resistivity<0.05 Ω 센티미터 LED, 레이저, 핀 에피택셜 웨이퍼 위의 4 인치 n형 실리콘 도핑 갈륨-질화갈륨
접촉

2022-10-08 17:33:16

4인치 N형 UID 도핑된 GaN 사파이어 웨이퍼 SSP 비저항>0.5 Ω cm LED, 레이저, PIN 에피택셜 웨이퍼
접촉

2022-10-08 16:57:10

4인치 P형 Mg 도핑된 GaN 사파이어 웨이퍼 SSP 비저항~10Ω Cm LED 레이저 PIN 에피택셜 웨이퍼
접촉

2024-07-31 15:01:27

결정 방위 C/M0.2 50 밀리미터 사파이어 기판 웨이퍼 티에치케이 420 um
접촉

2023-02-17 11:22:13

알루미늄 질화물 웨이퍼 거칠기 Ra<1.5nm 위의 아인
접촉

2022-09-27 15:41:22

$주문 JDWY01-001-007 2인치 후막 (4,5) 사파이어 웨이퍼 상의 Um AIN, SSP, XRD FWHM Of(002)≤160arcsec\(102) ≤400arcsec 온라인으로 제조 업체$

JDWY01-001-007 2인치 후막 (4,5) 사파이어 웨이퍼 상의 Um AIN, SSP, XRD FWHM Of(002)≤160arcsec\(102) ≤400arcsec
접촉

2022-10-09 09:55:26

JDWY01-001-002 2인치 후막 (1,2) 사파이어 웨이퍼의 Um AIN, DSP, XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec
접촉

2022-10-09 10:01:23

Page 3 of 5|< << 1 2 3 4 5 >> >|

GaN 에피택셜 웨이퍼

원문대로 에피택셜 웨이퍼

GaAs 에피 웨이퍼

CVD 다이아몬드 기판

급속 열 처리 시스템

홀 효과 센서 테스터

알루미늄 질화물 웨이퍼

레이저다이오드 칩

탄화 규소 결정

Ga2O3 웨이퍼

실리콘 웨이퍼

사파이어 웨이퍼

무늬가 있는 사파이어 기판

테플론 웨이퍼 홀더

웨이퍼 다이싱 머신

polished sapphire wafers 온라인 제조

사파이어 빛 SSP 두께 5 um - 6 um 위의 100 밀리미터 4 인치 청색 LED GaN 에피택셜 웨이퍼
접촉

닦는 2inch 알루미늄 질화물 웨이퍼 단 하나 또는 두 배 측
접촉

티에치케이 430 um 사파이어 기판 결정 방위 C/M0.2
접촉

사파이어 웨이퍼 SSP Resistivity<0.05 Ω 센티미터 LED, 레이저, 핀 에피택셜 웨이퍼 위의 4 인치 n형 실리콘 도핑 갈륨-질화갈륨
접촉

4인치 N형 UID 도핑된 GaN 사파이어 웨이퍼 SSP 비저항>0.5 Ω cm LED, 레이저, PIN 에피택셜 웨이퍼
접촉

4인치 P형 Mg 도핑된 GaN 사파이어 웨이퍼 SSP 비저항~10Ω Cm LED 레이저 PIN 에피택셜 웨이퍼
접촉

결정 방위 C/M0.2 50 밀리미터 사파이어 기판 웨이퍼 티에치케이 420 um
접촉

알루미늄 질화물 웨이퍼 거칠기 Ra<1.5nm 위의 아인
접촉

JDWY01-001-007 2인치 후막 (4,5) 사파이어 웨이퍼 상의 Um AIN, SSP, XRD FWHM Of(002)≤160arcsec\(102) ≤400arcsec
접촉

JDWY01-001-002 2인치 후막 (1,2) 사파이어 웨이퍼의 Um AIN, DSP, XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec
접촉

GaN 에피택셜 웨이퍼

2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형

Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

2인치 독립형 SI-GaN 기판

원문대로 에피택셜 웨이퍼

Beveling SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H 결정 형태 SiC 에피택셜 웨이퍼 웨이퍼 가장자리 베벨링 350.0um ± 25.0um

단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP