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silicon carbide epitaxial wafers 온라인 제조

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SP 페이스 5 X 10mm2 질화 갈륨 기판 350um
접촉

2022-10-08 16:41:01

힘과 마이크로파를 위한 4inch 4H-SiC 기질 P 수준 SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Resistivity≥1E9Ω·Cm
접촉

2022-10-24 10:37:50

2인치 C-Face Fe 도핑 SI 유형 독립형 GaN 단결정 기판 저항률 > 10⁶ Ω·cm RF 장치
접촉

2024-07-31 15:01:27

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GaN 에피택셜 웨이퍼

원문대로 에피택셜 웨이퍼

GaAs 에피 웨이퍼

CVD 다이아몬드 기판

급속 열 처리 시스템

홀 효과 센서 테스터

알루미늄 질화물 웨이퍼

레이저다이오드 칩

탄화 규소 결정

Ga2O3 웨이퍼

실리콘 웨이퍼

사파이어 웨이퍼

무늬가 있는 사파이어 기판

테플론 웨이퍼 홀더

웨이퍼 다이싱 머신

silicon carbide epitaxial wafers 온라인 제조

SP 페이스 5 X 10mm2 질화 갈륨 기판 350um
접촉

힘과 마이크로파를 위한 4inch 4H-SiC 기질 P 수준 SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Resistivity≥1E9Ω·Cm
접촉

2인치 C-Face Fe 도핑 SI 유형 독립형 GaN 단결정 기판 저항률 > 10⁶ Ω·cm RF 장치
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GaN 에피택셜 웨이퍼

2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형

Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

2인치 독립형 SI-GaN 기판

원문대로 에피택셜 웨이퍼

Beveling SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H 결정 형태 SiC 에피택셜 웨이퍼 웨이퍼 가장자리 베벨링 350.0um ± 25.0um

단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP