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제품 상세 정보:
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| 차원: | 모서리 16.0± 1.0 밀리미터를 위치시키면서, φ50.8mm±0.1mm,OF(1-100),Al은 향합니다 | 기판: | 사파이어 (닦인 한 개이거나 두배 옆) |
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| 도전 타입: | 반 절연 | 에지 제외 영역: | <2mm |
| 조도: | Ra | 상품 이름: | 알루미늄 질화물 웨이퍼 |
| (002)의 XRD FWHM: | ≤80arcsec, ≤100arcsec, ≤120arcsec, ≤160arcsec | (102)의 XRD FWHM: | ≤650arcsec, ≤550arcsec, ≤450arcsec, ≤400arcsec |
| 강조하다: | C 평면 사파이어 웨이퍼,aln 기판 50.8mm,사파이어 웨이퍼 측면 광택 |
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C면(0001)±1영형AIN On Sapphire Wafer 사파이어(단면 또는 양면 연마)
2인치 후막(1,2)Um AIN 사파이어 웨이퍼 SSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec UV 소독 LED 칩
AlN 기판은 우수한 내열성, 높은 기계적 강도, 내마모성 및 작은 유전 손실을 갖는 가장 널리 사용되는 세라믹 기판 중 하나입니다.AlN 기판의 표면은 매우 매끄럽고 다공성이 낮습니다.질화알루미늄은 알루미나 기판에 비해 열전도율이 높아 열전도율이 7~8배 정도 높다.AlN 기판은 우수한 전자 패키지 재료입니다.
우리는 박막 및 후막 마이크로 전자 공학, 고전력 및 고주파 회로 RF / 마이크로파 구성 요소 및 커패시터 또는 저항기를 포함한 광범위한 응용 분야에 AlN 기판을 제공합니다. 자세한 세라믹 웨이퍼 제품 정보는 당사에 문의하십시오.
| 안건 | AlN-TCU-C50 | ||
| 치수 | φ50.8 mm±0.1 mm, OF(1-100), Al Face, 위치 결정 에지 16.0± 1.0 mm | ||
| 기질 | 사파이어(단면 또는 양면 광택 처리) | ||
| 두께 | 1~5μm | ||
| 정위 |
C면(0001)±1영형 |
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| 전도 유형 | 반절연 | ||
| 결정질 품질 | 두께 | (002)의 XRD FWHM | (102)의 XRD FWHM |
| [1,2)μm | ≤80arcsec | ≤650arcsec | |
| [2,3)μm | ≤100arcsec | ≤550arcsec | |
| [3,4)μm | ≤120arcsec | ≤450arcsec | |
| [4,5)μm | ≤160arcsec | ≤400아크초 | |
| 에지 제외 영역 |
<2mm |
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| 표면 거칠기 | Ra<1.5nm(10*10μm) | ||
| 패키지 | 클래스 10000 클린룸 환경에서 25개 카세트 또는 단일 웨이퍼 컨테이너로 진공 포장합니다. | ||
회사 소개
우리는 전자, 광학, 광전자 및 기타 여러 분야에서 널리 사용되는 웨이퍼, 기판 및 맞춤형 광학 유리 부품으로 다양한 재료를 가공하는 것을 전문으로 합니다.우리는 또한 많은 국내 및 해외 대학, 연구 기관 및 기업과 긴밀히 협력하여 R&D 프로젝트를 위한 맞춤형 제품 및 서비스를 제공하고 있습니다.좋은 평판을 통해 모든 고객과 좋은 협력 관계를 유지하는 것이 우리의 비전입니다.
자주하는 질문
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우리는 공장입니다.
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담당자: Xiwen Bai (Ciel)
전화 번호: +8613372109561
