제품 상세 정보:
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상품 이름: | AlN 단결정 | 거칠기: | Al면:≤0.5nm N면(뒤):≤1.2μm |
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출현: | 원형 벨트 포지셔닝 에지 | TUA: | ≥90% |
주요 포지셔닝 에지 방향: | {10-10}±5.0' | TTV(μm): | ≤30 |
강조하다: | 1" 질화알루미늄 웨이퍼,AlN 웨이퍼 S 등급,질화알루미늄 웨이퍼 400um |
1" AlN 단결정 400±50μm S/P/R 등급 알루미늄 표면: 화학 연마 이중 연마 사용자 정의 가능
JDCD02-001-003 1인치 AlN 단결정 400±50μm S/P/R 등급
질화알루미늄이란?질화알루미늄(AlN)은 높은 열전도율과 전기 절연 특성이 요구되는 경우에 사용할 수 있는 우수한 소재입니다.열 관리 및 전기 응용 분야에 사용하기에 이상적인 소재입니다.
이 물질은 불활성 분위기의 고온에서 안정적입니다.최대 1370degC에서 재료를 보호하는 보호 산화물 층이 있습니다.또한 최대 980degC의 수소 분위기에서도 안정적입니다.강한 알칼리에 의해 용해되거나 가수분해될 수 있지만 대부분의 용융염 및 빙정석에 내성이 있습니다.이것이 마이크로 전자 공학에서 매우 유용한 이유입니다.
1인치 알루미늄 질화물 단결정 기판 | |||
크리스탈 사양 | 매개변수 값 | ||
지름(mm) | 25.4±0.5 | ||
두께(μm) | 400±50 | ||
크리스탈 형태 | 2시간 | ||
폴리타입 | {0001}±0.5° | ||
표면 연마 | 알루미늄 표면: 화학 연마(이중 연마는 사용자 정의 가능) | ||
거칠기 |
알 얼굴: ≤0.5nm N면(뒤):≤1.2μm |
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모습 | 원형 벨트 포지셔닝 에지 | ||
품질 등급 | S등급(슈퍼) | P등급(생산) | R등급(연구) |
HRXRD 절반 높이 너비@{0002}(arcsec) | ≤150 | ≤300 | ≤500 |
HRXRD 절반 높이 너비@{10-12}(arcsec) | ≤100 | ≤200 | ≤400 |
흡수 계수@265nm(cm-1) | ≤50 | ≤70 | ≤100 |
가장자리 제외(mm) | 1 | 1 | 1 |
들여쓰기 | / | / | / |
작은 조각 | / | / | ≤3 누적 ≤1.0mm |
TUA | ≥90% | ||
주요 포지셔닝 에지 방향 | {10-10}±5.0° | ||
보조 위치 지정 표면의 방향 |
Al 얼굴: 주요 포지셔닝 edge90°±5°의 방향으로 시계 방향으로 자전하십시오 N면: 주요 포지셔닝 edge90°±5°의 방향으로 시계 반대 방향으로 자전하십시오 |
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TTV(μm) | ≤30 | ||
날실(μm) | ≤30 | ||
활(μm) | ≤30 | ||
균열 | 아니, 육안으로, 강한 빛 | ||
오염 | 아니, 육안, 방사선 | ||
레이저 코딩 | N면, 주 위치 결정 가장자리와 평행 | ||
패키지 | 모 놀리 식 웨이퍼 상자 |
회사 소개
우리는 전자, 광학, 광전자 및 기타 여러 분야에서 널리 사용되는 웨이퍼, 기판 및 맞춤형 광학 유리 부품으로 다양한 재료를 가공하는 것을 전문으로 합니다.우리는 또한 많은 국내 및 해외 대학, 연구 기관 및 기업과 긴밀히 협력하여 R&D 프로젝트를 위한 맞춤형 제품 및 서비스를 제공하고 있습니다.좋은 평판을 통해 모든 고객과 좋은 협력 관계를 유지하는 것이 우리의 비전입니다.
자주하는 질문
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