제품 상세 정보:
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차원: | 모서리 16.0± 1.0 밀리미터를 위치시키면서, φ50.8mm±0.1mm,OF(1-100),Al은 향합니다 | 기판: | 사파이어 (닦인 한 개이거나 두배 옆) |
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도전 타입: | 반 절연 | 상품 이름: | 알루미늄 질화물 웨이퍼 |
(002)의 XRD FWHM: | ≤80arcsec, ≤100arcsec, ≤120arcsec, ≤160arcsec | (102)의 XRD FWHM: | ≤650arcsec, ≤550arcsec, ≤450arcsec, ≤400arcsec |
강조하다: | 아인 사파이어 웨이퍼,아인 웨이퍼를 격리하는 세미,닦인 사파이어 웨이퍼 일 측면 |
(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec UV 소독 LED 칩의 사파이어 웨이퍼 SSP XRD FWHM 위의 2 인치 후막 (1,2)μm 아인
재료는 우수한 열전도율과 좋은 전기절연체입니다. 그것의 높은 절연성은 다양한 적용을 위한 탁월한 선택로 만듭니다. 제품의 큰 다양성은 알루미늄 질화물로부터 만들어질 수 있습니다. 이것은 알루미늄 질화물을 위한 가장 공동 사용입니다. 그것은 항공 우주 산업에 중요한 재료입니다. 그러나, 그것과 관련된 몇몇 제한이 있습니다. 그것은 고온에 그리고 약간의 환경에서 불안정합니다.
항목 | AlN-T-C-U-C50 | ||
차원 | φ50.8 mm±0.1 밀리미터, OF(1-100), 모서리 16.0± 1.0 밀리미터를 위치시킨 Al 표면 | ||
기판 | 사파이어 (닦인 한 개이거나 두배 옆) | ||
두께 | 1~5μm | ||
배향 |
씨 플레인 (0001)±1o |
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도전 타입 | 반 절연 | ||
결정 품질 | 두께 | (002)의 XRD FWHM | (102)의 XRD FWHM |
[1,2) μm | ≤80arcsec | ≤650arcsec | |
[2,3) μm | ≤100arcsec | ≤550arcsec | |
[3,4) μm | ≤120arcsec | ≤450arcsec | |
[4,5) μm | ≤160arcsec | ≤400arcsec | |
에지 배제 죤 |
<2mm> |
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조도 | Ra<1> | ||
패키지 | 25 PC 또는 한 개의 웨이퍼 컨테이너의 카세트에서, 수업 10000 클린 룸 환경에서 진공 포장. |
우리에 대하여
우리는 다양한 재료를 웨이퍼로 처리하는 것을 전문으로 합니다, 기판과 주문 제작된 광학유리 parts.components가 넓게 전자공학, 광학, 옵토 일렉트로닉스와 많은 다른 분야에 사용했습니다. 우리가 또한 밀접하게 많은 국내이고 해외 대학, 조사 기관과 회사와 함께 일했다고 그들의 연구 개발 사업을 위한 주문 제작된 제품 및 서비스가 규정합니다. 우리의 좋은 평판에 의해 우리의 모든 고객들과 협력의 좋은 관계를 유지하는 것은 우리의 비전입니다.
FAQ
큐 : 당신이 업체 또는 제조를 거래하고 있습니까 ?
우리는 공장입니다.
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또는 상품이 주식에 없으면 그것은 7-10 일입니다, 양에 따른 중입니다.
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예, 우리는 자유 전하를 위한 샘플을 제공할 수 있지만, 화물의 비용을 지불하지 않습니다.
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입금 <>
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