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제품 상세 정보:
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| 상품 이름: | 원문대로 에피택셜 웨이퍼 | 지름: | 100.0mm+0.0/-0.5mm |
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| 표면 배향: | {0001}±0.2° | 주 기준 가장자리의 길이: | 32.5mm ± 2.0mm |
| 웨이퍼의 가장자리: | 모따기 각도 | 두께: | 500.0±25.0μm |
JDCD03-002-001 4inch 4H-SiC 기판 P-레벨 SI 500.0±25.0μm MPD≤0.3/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm 전력 및 마이크로파 장치용
개요
SiC는 GaAs 또는 Si보다 열 전도율이 높으므로 SiC 장치는 이론적으로 GaAs 또는 Si보다 더 높은 전력 밀도에서 작동할 수 있습니다.넓은 밴드 갭 및 높은 임계 필드와 결합된 더 높은 열 전도율은 SiC 반도체가 높은 전력이 바람직한 주요 장치 기능일 때 이점을 제공합니다.
현재 실리콘 카바이드(SiC)는 고전력 애플리케이션에 널리 사용됩니다.SiC는 또한 더 높은 전력 장치를 위한 GaN의 에피택셜 성장을 위한 기판으로도 사용됩니다.
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4인치 4H-SiC 반절연 기판 |
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| 제품 성능 | P 수준 | D레벨 | |
| 크리스탈 형태 | 4시간 | ||
| 다형 | 허용하지 않음 | 면적≤5% | |
| 마이크로파이프 밀도ㅏ | ≤0.3/센티미터2 | ≤5/센티미터2 | |
| 6칸 비어 있음 | 허용하지 않음 | 면적≤5% | |
| 육각형 표면 하이브리드 크리스탈 | 허용하지 않음 | 면적≤5% | |
| 포장지ㅏ | 면적≤0.05% | 해당 없음 | |
| 비저항 | ≥1E9Ω·cm | ≥1E5Ω·cm | |
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(0004) XRD요동 곡선의 높이 반치폭(FWHM) |
≤45초 |
해당 없음 |
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| 지름 | 100.0mm+0.0/-0.5mm | ||
| 표면 방향 | {0001}±0.2° | ||
| 주 기준 가장자리의 길이 |
32.5mm ± 2.0mm
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| 보조 참조 모서리 길이 | 18.0mm ± 2.0mm | ||
| 기본 참조 평면 방향 | 평행<11-20> ± 5.0˚ | ||
| 보조 참조 평면 방향 | 주 기준면에 대해 시계 방향으로 90° ˚ ± 5.0˚, Si가 위로 향함 | ||
| 표면 준비 | C-Face: 경면 연마, Si-Face: 화학적 기계적 연마(CMP) | ||
| 웨이퍼의 가장자리 | 모따기 각도 | ||
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표면 거칠기(5μm×5μm)
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Si면 Ra<0.2nm
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| 두께 |
500.0±25.0μm
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| LTV(10mm×10mm)ㅏ |
≤2µm
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≤3µm
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| TTVㅏ |
≤6µm
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≤10µm
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| 절하다ㅏ |
≤15µm
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≤30µm
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| 경사ㅏ |
≤25µm
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≤45µm
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| 깨진 가장자리 / 틈 | 길이와 너비가 0.5mm인 접힌 가장자리는 허용되지 않습니다. | ≤2 및 각 길이 및 너비 1.0mm | |
| 할퀴다ㅏ | ≤4이고 총 길이는 직경의 0.5배입니다. | ≤5, 총 길이는 직경의 1.5배 | |
| 결함 | 허용하지 | ||
| 오염 | 허용하지 | ||
| 가장자리 제거 |
3mm |
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비고: 로 표시된 항목에는 3mm 가장자리 제외가 사용됩니다.ㅏ.
회사 소개
우리는 전자, 광학, 광전자 및 기타 여러 분야에서 널리 사용되는 웨이퍼, 기판 및 맞춤형 광학 유리 부품으로 다양한 재료를 가공하는 것을 전문으로 합니다.우리는 또한 많은 국내 및 해외 대학, 연구 기관 및 기업과 긴밀히 협력하여 R&D 프로젝트를 위한 맞춤형 제품 및 서비스를 제공하고 있습니다.좋은 평판을 통해 모든 고객과 좋은 협력 관계를 유지하는 것이 우리의 비전입니다.
자주하는 질문
Q: 당신은 무역 회사입니까 아니면 제조업체입니까?
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