홈 제품 소개semiconductor diode laser chip 온라인 제조업체

모든 제품

GaN 에피택셜 웨이퍼
(65)

원문대로 에피택셜 웨이퍼
(39)

GaAs 에피 웨이퍼
(15)

CVD 다이아몬드 기판
(15)

급속 열 처리 시스템
(2)

홀 효과 센서 테스터
(3)

알루미늄 질화물 웨이퍼
(21)

레이저다이오드 칩
(10)

탄화 규소 결정
(12)

Ga2O3 웨이퍼
(13)

실리콘 웨이퍼
(26)

사파이어 웨이퍼
(19)

무늬가 있는 사파이어 기판
(10)

테플론 웨이퍼 홀더
(1)

웨이퍼 다이싱 머신
(5)

인증

제가 지금 온라인 채팅 해요

semiconductor diode laser chip 온라인 제조

(4)

레이저 인쇄 레이저 다이오드 반도체 칩 1.0W/A 이미터 크기 94μm 파장 915nm
접촉

Laser Printing Laser Diode Chip 1.0W/A Emitter Size 94μm Wavelength 915nm 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design Chip on Submount COS Laser ... 자세히보기

2022-09-22 15:10:25

문턱 전류 0.5A 레이저 다이오드 칩 전력 변환 효율 58%
접촉

Threshold Current 0.5A Laser Diode Chip Power Conversion Efficiency 58% 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design On-chip integration of laser ... 자세히보기

2022-09-22 15:12:40

문턱 현재 0.5A 레이저 다이오드 칩 레이저 인쇄 사면 효율성 1.0W/A
접촉

Threshold Current 0.5A Laser Diode Chip Laser Printing Slope Efficiency 1.0W/A 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design The light source is ... 자세히보기

2022-09-22 15:13:34

티에치케이 430 um 사파이어 기판 결정 방위 C/M0.2
접촉

Thk 430μm Sapphire Substrate Wafer Crystal Orientation C/M0.2, OF Length (Mm) 16 LED Chip JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk ... 자세히보기

2023-02-17 10:18:05

Page 1 of 1

GaN 에피택셜 웨이퍼

원문대로 에피택셜 웨이퍼

GaAs 에피 웨이퍼

CVD 다이아몬드 기판

급속 열 처리 시스템

홀 효과 센서 테스터

알루미늄 질화물 웨이퍼

레이저다이오드 칩

탄화 규소 결정

Ga2O3 웨이퍼

실리콘 웨이퍼

사파이어 웨이퍼

무늬가 있는 사파이어 기판

테플론 웨이퍼 홀더

웨이퍼 다이싱 머신

semiconductor diode laser chip 온라인 제조

레이저 인쇄 레이저 다이오드 반도체 칩 1.0W/A 이미터 크기 94μm 파장 915nm
접촉

문턱 전류 0.5A 레이저 다이오드 칩 전력 변환 효율 58%
접촉

문턱 현재 0.5A 레이저 다이오드 칩 레이저 인쇄 사면 효율성 1.0W/A
접촉

티에치케이 430 um 사파이어 기판 결정 방위 C/M0.2
접촉

GaN 에피택셜 웨이퍼

2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형

Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

2인치 독립형 SI-GaN 기판

원문대로 에피택셜 웨이퍼

Beveling SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H 결정 형태 SiC 에피택셜 웨이퍼 웨이퍼 가장자리 베벨링 350.0um ± 25.0um

단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP