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semiconductor diode laser chip 온라인 제조

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레이저 인쇄 레이저 다이오드 반도체 칩 1.0W/A 이미터 크기 94μm 파장 915nm
접촉

2022-09-22 15:10:25

문턱 전류 0.5A 레이저 다이오드 칩 전력 변환 효율 58%
접촉

2022-09-22 15:12:40

문턱 현재 0.5A 레이저 다이오드 칩 레이저 인쇄 사면 효율성 1.0W/A
접촉

2022-09-22 15:13:34

티에치케이 430 um 사파이어 기판 결정 방위 C/M0.2
접촉

2023-02-17 10:18:05

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GaN 에피택셜 웨이퍼

원문대로 에피택셜 웨이퍼

GaAs 에피 웨이퍼

CVD 다이아몬드 기판

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GaN 에피택셜 웨이퍼

2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형

Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

2인치 독립형 SI-GaN 기판

원문대로 에피택셜 웨이퍼

Beveling SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H 결정 형태 SiC 에피택셜 웨이퍼 웨이퍼 가장자리 베벨링 350.0um ± 25.0um

단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP