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silicon carbide crystal p grade 온라인 제조

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4H SiC 에피택셜 웨이퍼 0.015Ωocm-0.025ΩoCm ≤4000/cm2150.0 밀리미터 +0mm/-0.2mm
접촉

2023-02-17 15:19:25

150.0 mm + 0mm / -0.2mm SiC 에피택셜 웨이퍼 4H 결정형
접촉

2022-10-24 10:20:57

까다로운 전력 전자 장치를 위한 2인치 SiC 기판 350μm
접촉

2023-02-17 15:34:54

SiC n 형 기판
접촉

2022-10-09 16:57:15

350um 4H SiC 기판
접촉

2022-10-09 16:57:57

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GaN 에피택셜 웨이퍼

원문대로 에피택셜 웨이퍼

GaAs 에피 웨이퍼

CVD 다이아몬드 기판

급속 열 처리 시스템

홀 효과 센서 테스터

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탄화 규소 결정

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테플론 웨이퍼 홀더

웨이퍼 다이싱 머신

silicon carbide crystal p grade 온라인 제조

4H SiC 에피택셜 웨이퍼 0.015Ωocm-0.025ΩoCm ≤4000/cm2150.0 밀리미터 +0mm/-0.2mm
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SiC n 형 기판
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350um 4H SiC 기판
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GaN 에피택셜 웨이퍼

2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형

Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

2인치 독립형 SI-GaN 기판

원문대로 에피택셜 웨이퍼

Beveling SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H 결정 형태 SiC 에피택셜 웨이퍼 웨이퍼 가장자리 베벨링 350.0um ± 25.0um

단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP