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제품 상세 정보:
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| 상품 이름: | GaAs-Si 웨이퍼 | 오리엔테이션 각도: | 0° |
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| 오리엔테이션: | EJ[0-1-1]±0.5° | OF 길이(mm): | 17±1 |
| IF 오리엔테이션: | EJ[0-11]±0.5° | IF 길이(mm): | 7±1 |
| 지름(mm): | 50.8±0.2 | CC(/c.c.): | 0.4E18~1E18 |
2 인치 비소화 갈륨 (111) 규소 도핑된 기판
개관
갈륨 비소 웨이퍼에서 갈륨은 일반적으로 반도체, 바로미터, 발광 다이오드, 온도계와 전자 회로의 생산에서 사용됩니다. 사실상 그것은 은 금속이고 그것을 또한 칩에서 사용되도록 쉽게 하는 소프트입니다. 일종의 포스트 전이 금속인 갈륨 원소가 도대체 쉽게 대부분의 금속과 가까워질 수 있는 능력을 갖춥니다. 그것은 대단히 저-용융 합금의 생산에서 배치됩니다.
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비소화 갈륨 실리콘 웨이퍼 |
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성장법 |
VGF |
| 타입을 수행하세요 | S-C-N |
| 불순물 | 비소화 갈륨 실리콘 |
| 배향 | (100)15' ±0.5' 꺼짐 상태 토바르트아<111> |
| 방향 각도 | 0' |
| OF 배향 | EJ[0-1-1]±0.5' |
| OF 길이 (밀리미터) | 17±1 |
| 조건 배향 | EJ[0-11]±0.5' |
| 조건 길이(MM) | 7±1 |
| 지름(MM) | 50.8±0.2 |
| CC(/c.c.) | 0.4E18~1E18 |
| 저항률(ohm.cm) | 이용 불가능 |
| Mobility(cm2/v.s) | ≥1000 |
| EPD(/cm2) | ≤5000 |
| 두께(um) | 350±20 |
| TTV(um) | <10> |
| TTR(um) | <10> |
| 활(um) | <15> |
| 날실(um) | <15> |
| 서피스 | Side1 :닦은 Side2 :에칭됩니다 |
| 패키징 | 카세트 또는 단일 |
우리에 대하여
우리는 다양한 재료를 웨이퍼로 처리하는 것을 전문으로 합니다, 기판과 주문 제작된 광학유리 parts.components가 넓게 전자공학, 광학, 옵토 일렉트로닉스와 많은 다른 분야에 사용했습니다. 우리가 또한 밀접하게 많은 국내이고 해외 대학, 조사 기관과 회사와 함께 일했다고 그들의 연구 개발 사업을 위한 주문 제작된 제품 및 서비스가 규정합니다. 우리의 좋은 평판에 의해 우리의 모든 고객들과 협력의 좋은 관계를 유지하는 것은 우리의 비전입니다.
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