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제품 상세 정보:
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| 차원: | φ50.8mm±0.1mm,OF(1-100),알페이스,로케이팅 에지 16.0±1.0mm | 기판: | 사파이어 (닦인 한 개이거나 두배 옆) |
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| 배향: | C-평면 (0001)±1o | 도전 타입: | 반 절연 |
| 에지 제외 영역: | <2mm | 조도: | Ra |
| 상품 이름: | 알루미늄 질화물 웨이퍼 | (002)의 XRD FWHM: | ≤80arcsec, ≤100arcsec, ≤120arcsec, ≤160arcsec |
| 강조하다: | 사피어 웨이퍼에 DSP AIN |
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사파이어 웨이퍼 위의 2 인치 후막 (2,3)um 아인, (002)≤100arcsec(102) ≤550arcsec UV 소독의 DSP, XRD FWHM, LED 칩
알루미늄 질화물은 또한 우수한 전기절연체입니다. 그것은 태양 전지에서 사용될 수 있습니다. 그러나 태양광에 노출될 때 그것의 고열 전도성은 그것을 잠재적으로 위험하게 합니다. 그러므로, 그것은 전자공학에 쓸 적재입니다. 전기 또는 열을 전도하지 않는 동안, 그것은 대단히 전도성 있습니다. 결과적으로 알루미늄 질화물은 반도체를 만들기 위한 우수한 소재입니다. 그것은 베릴륨 산화물에 대한 좋은 대안이고, 실리콘 웨이퍼에 대한 비슷한 열 팽창 특성을 가집니다.
| 항목 | AlN-T-C-U-C50 | ||
| 차원 | φ50.8 mm±0.1 밀리미터, OF(1-100), 모서리 16.0± 1.0 밀리미터를 위치시킨 Al 표면 | ||
| 기판 | 사파이어 (닦인 한 개이거나 두배 옆) | ||
| 두께 | 1~5μm | ||
| 배향 |
씨 플레인 (0001)±1o |
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| 도전 타입 | 반 절연 | ||
| 결정 품질 | 두께 | (002)의 XRD FWHM | (102)의 XRD FWHM |
| [1,2) μm | ≤80arcsec | ≤650arcsec | |
| [2,3) μm | ≤100arcsec | ≤550arcsec | |
| [3,4) μm | ≤120arcsec | ≤450arcsec | |
| [4,5) μm | ≤160arcsec | ≤400arcsec | |
| 에지 배제 죤 |
<2mm> |
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| 조도 | Ra<1> | ||
| 패키지 | 25 PC 또는 한 개의 웨이퍼 컨테이너의 카세트에서, 수업 10000 클린 룸 환경에서 진공 포장. | ||
우리에 대하여
우리는 다양한 재료를 웨이퍼로 처리하는 것을 전문으로 합니다, 기판과 주문 제작된 광학유리 parts.components가 넓게 전자공학, 광학, 옵토 일렉트로닉스와 많은 다른 분야에 사용했습니다. 우리가 또한 밀접하게 많은 국내이고 해외 대학, 조사 기관과 회사와 함께 일했다고 그들의 연구 개발 사업을 위한 주문 제작된 제품 및 서비스가 규정합니다. 우리의 좋은 평판에 의해 우리의 모든 고객들과 협력의 좋은 관계를 유지하는 것은 우리의 비전입니다.
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