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ga2o3 substrate single crystal 온라인 제조

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JDCD04-001-003 10x10mm2 100(Off 6°) Fe 도핑 독립형 Ga2O3 단결정 기판 제품 등급 단일 연마
접촉

2022-10-09 10:29:17

JDCD04-001-002 10x10mm2 (-201) SN 투여된 자유 고정 Ga2O3 단결정체 기판 생성물 등급은 끝마무리를 선발합니다
접촉

2022-10-09 10:30:00

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn 도핑 독립형 Ga2O3 단결정 기판 제품 등급 단일 연마
접촉

2023-02-17 14:49:57

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GaN 에피택셜 웨이퍼

원문대로 에피택셜 웨이퍼

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GaN 에피택셜 웨이퍼

2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형

Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

2인치 독립형 SI-GaN 기판

원문대로 에피택셜 웨이퍼

Beveling SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H 결정 형태 SiC 에피택셜 웨이퍼 웨이퍼 가장자리 베벨링 350.0um ± 25.0um

단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP