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n type sic crystal 온라인 제조

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구입하다 0.015ohm.cm ~ 0.028ohm.cm 실리콘 카바이드 크리스탈 N 유형 온라인으로 제조업체

0.015ohm.cm ~ 0.028ohm.cm 실리콘 카바이드 크리스탈 N 유형
접촉

0.015~0.028ohm.Cm SiC Seed Crystal 4" P Grade N-Type Orientation 4.0°±0.2° SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC CRYSTAL is an ultra-high purity silicon ... 자세히보기
2022-09-27 17:01:16
구입하다 6 인치 SiC 에피택셜 웨이퍼 온라인으로 제조업체

6 인치 SiC 에피택셜 웨이퍼
접촉

P-SBD Grade 6inch 4H-SiC substrate N-Type Off-Axis:4°toward ±0.5 ° 6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Resistivity 0... 자세히보기
2022-10-09 16:56:20
구입하다 47.5 밀리미터 ± 1.5 밀리미터 SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 밀리미터 +0mm/-0.2mm은 to<11-20>±1을 평행시킵니다' 온라인으로 제조업체

47.5 밀리미터 ± 1.5 밀리미터 SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 밀리미터 +0mm/-0.2mm은 to<11-20>±1을 평행시킵니다'
접촉

47.5 mm ± 1.5 mm SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm Parallel to±1° JDCD03-001-003 Overview Currently, there are two main types of SiC wafers. ... 자세히보기
2024-10-29 11:49:58
구입하다 JDZJ01-001-002 sic 인곳 크리스탈 4 &quot; Ｄ 등급 온라인으로 제조업체

JDZJ01-001-002 sic 인곳 크리스탈 4 " Ｄ 등급
접촉

SiC ingot crystal 4" P grade SiC devices can operate at high frequencies (RF and microwave) because of the high saturated electron drift velocity of ... 자세히보기
2025-04-04 22:43:20
구입하다 4&quot; P 급료 실리콘 탄화물 결정 저항력 0.015ohm.cm에 0.028ohm.cm 온라인으로 제조업체

4" P 급료 실리콘 탄화물 결정 저항력 0.015ohm.cm에 0.028ohm.cm
접촉

4" P Grade SiC Seed Crystal Resistivity 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC is an excellent thermal conductor. Heat will ... 자세히보기
2022-09-27 17:35:24
구입하다 4인치 4H-SiC 기판 P-레벨 N-타입 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 비저항 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm 온라인으로 제조업체

4인치 4H-SiC 기판 P-레벨 N-타입 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 비저항 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm
접촉

4inch 4H-SiC substrate D-level N-Type 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview High Temperature ... 자세히보기
2025-04-04 22:43:25
구입하다 100.0 밀리미터 탄화 규소 결정 4 &quot; Ｐ 등급 18.0 밀리미터 온라인으로 제조업체

100.0 밀리미터 탄화 규소 결정 4 " Ｐ 등급 18.0 밀리미터
접촉

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 0.015~0.028ohm.cm 18.0mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade Electronic devices formed in SiC can operate at ... 자세히보기
2022-09-27 17:01:26
구입하다 JDZJ01-001-004 SiC 잉곳 결정 6&quot; P 등급 온라인으로 제조업체

JDZJ01-001-004 SiC 잉곳 결정 6" P 등급
접촉

SiC ingot crystal 6" Pgrade Silicon carbide, exceedingly hard, synthetically produced crystalline compound of silicon and carbon. Its chemical formula ... 자세히보기
2025-04-04 22:42:33
구입하다 1차 플래트 길이 32.5 밀리미터 탄화 규소 결정 4 &quot; Ｐ 등급 100.0 밀리미터 온라인으로 제조업체

1차 플래트 길이 32.5 밀리미터 탄화 규소 결정 4 " Ｐ 등급 100.0 밀리미터
접촉

Primary Flat Lengh 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage ... 자세히보기
2022-09-27 17:01:05
구입하다 100.0 밀리미터 탄화 규소 결정 4 &quot; Ｐ 등급 토폴리타입 4H 온라인으로 제조업체

100.0 밀리미터 탄화 규소 결정 4 " Ｐ 등급 토폴리타입 4H
접촉

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 4.0°±0.2° Politype 4H SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) ... 자세히보기
2022-10-09 10:12:00
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약

GaN 에피택셜 웨이퍼

2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형

Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

2인치 독립형 SI-GaN 기판

원문대로 에피택셜 웨이퍼

Beveling SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H 결정 형태 SiC 에피택셜 웨이퍼 웨이퍼 가장자리 베벨링 350.0um ± 25.0um

단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP

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