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MEMS 처리를 위한 JDCD07-001-003 6-인치 SOI 에피택셜 웨이퍼
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2022-09-28 15:29:37

JDCD07-001-004 MEMS 처리용 7인치 SOI 에피택셜 웨이퍼
접촉

2023-04-23 15:34:55

775 um 725 um 675 um 8 인치 웨이퍼 반도체 디바이스
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2022-09-27 16:50:19

JDCD07-001-001 MEMS 처리용 4인치 SOI 에피택셜 웨이퍼
접촉

2023-04-23 14:57:24

두께 370um 430um 2 인치 GaN Epi 웨이퍼 치수 50mm
접촉

2023-02-17 17:52:26

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GaN 에피택셜 웨이퍼

원문대로 에피택셜 웨이퍼

GaAs 에피 웨이퍼

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급속 열 처리 시스템

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두께 370um 430um 2 인치 GaN Epi 웨이퍼 치수 50mm
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GaN 에피택셜 웨이퍼

2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형

Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

2인치 독립형 SI-GaN 기판

원문대로 에피택셜 웨이퍼

Beveling SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H 결정 형태 SiC 에피택셜 웨이퍼 웨이퍼 가장자리 베벨링 350.0um ± 25.0um

단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP