견적 요청 |
홈 제품 소개silicon carbide crystal p grade 온라인 제조업체
모든 제품

GaN 에피택셜 웨이퍼

(65)

원문대로 에피택셜 웨이퍼

(39)

GaAs 에피 웨이퍼

(15)

CVD 다이아몬드 기판

(15)

급속 열 처리 시스템

(2)

홀 효과 센서 테스터

(3)

알루미늄 질화물 웨이퍼

(21)

레이저다이오드 칩

(10)

탄화 규소 결정

(12)

Ga2O3 웨이퍼

(13)

실리콘 웨이퍼

(26)

사파이어 웨이퍼

(19)

무늬가 있는 사파이어 기판

(10)

테플론 웨이퍼 홀더

(1)

웨이퍼 다이싱 머신

(5)
인증
중국 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. 인증
제가 지금 온라인 채팅 해요

silicon carbide crystal p grade 온라인 제조

(27)
구입하다 100.0 밀리미터 탄화 규소 결정 4 " Ｐ 등급 토폴리타입 4H 온라인으로 제조업체

100.0 밀리미터 탄화 규소 결정 4 " Ｐ 등급 토폴리타입 4H
접촉

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 4.0°±0.2° Politype 4H SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) ... 자세히보기
2022-10-09 10:12:00
구입하다 0.015ohm.cm ~ 0.028ohm.cm 실리콘 카바이드 크리스탈 N 유형 온라인으로 제조업체

0.015ohm.cm ~ 0.028ohm.cm 실리콘 카바이드 크리스탈 N 유형
접촉

0.015~0.028ohm.Cm SiC Seed Crystal 4" P Grade N-Type Orientation 4.0°±0.2° SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC CRYSTAL is an ultra-high purity silicon ... 자세히보기
2022-09-27 17:01:16
구입하다 4" P 급료 실리콘 탄화물 결정 저항력 0.015ohm.cm에 0.028ohm.cm 온라인으로 제조업체

4" P 급료 실리콘 탄화물 결정 저항력 0.015ohm.cm에 0.028ohm.cm
접촉

4" P Grade SiC Seed Crystal Resistivity 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC is an excellent thermal conductor. Heat will ... 자세히보기
2022-09-27 17:35:24
구입하다 100.0 밀리미터 탄화 규소 결정 4 " Ｐ 등급 18.0 밀리미터 온라인으로 제조업체

100.0 밀리미터 탄화 규소 결정 4 " Ｐ 등급 18.0 밀리미터
접촉

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 0.015~0.028ohm.cm 18.0mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade Electronic devices formed in SiC can operate at ... 자세히보기
2022-09-27 17:01:26
구입하다 1차 플래트 길이 32.5 밀리미터 탄화 규소 결정 4 " Ｐ 등급 100.0 밀리미터 온라인으로 제조업체

1차 플래트 길이 32.5 밀리미터 탄화 규소 결정 4 " Ｐ 등급 100.0 밀리미터
접촉

Primary Flat Lengh 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage ... 자세히보기
2022-09-27 17:01:05
구입하다 4H 토폴리타입 단결정 실리콘 카바이드 Ｐ 등급 si 면 4명 " 온라인으로 제조업체

4H 토폴리타입 단결정 실리콘 카바이드 Ｐ 등급 si 면 4명 "
접촉

JDZJ01-001-001 SiC Seed Crystal 4" P Grade Si-Face 90°Cw.From Primary Flat±5° SiC Seed Crystal 4" PGrade The physical and electronic properties of SiC ... 자세히보기
2022-09-27 17:01:35
구입하다 JDZJ01-001-007 실리콘 카바이드 시드 결정 온라인으로 제조업체

JDZJ01-001-007 실리콘 카바이드 시드 결정
접촉

JDZJ01-001-007 Silicon Carbide Seed Crystal Electronic devices formed in SiC can operate at extremely high temperatures without suffering from ... 자세히보기
2025-04-04 22:42:43
구입하다 N 유형 6inch 4H 실리콘 카바이드 기판 기본 편평한 길이 47.5mm 온라인으로 제조업체

N 유형 6inch 4H 실리콘 카바이드 기판 기본 편평한 길이 47.5mm
접촉

6inch 4H-SiC substrate N-Type D Grade 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity 0.014Ω•cm—0.028Ω•cm for power and microwave devices Overview Silicon Carbide ... 자세히보기
2022-10-24 10:22:34
구입하다 힘 장치와 마이크로파 장치를 위한 260μm 실리콘 탄화물 기질 P 수준 온라인으로 제조업체

힘 장치와 마이크로파 장치를 위한 260μm 실리콘 탄화물 기질 P 수준
접촉

4H-N/SI260μm±25μm 2-Inch SiC Substrate P-Level For Power Devices And Microwave Devices JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm ... 자세히보기
2024-10-29 11:49:58
구입하다 6inch 4H SiC 기판 N Type P SBD Grade 350μm 온라인으로 제조업체

6inch 4H SiC 기판 N Type P SBD Grade 350μm
접촉

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC boules ... 자세히보기
2022-10-24 10:23:04
Page 1 of 3|< 1 2 3 >|
약

GaN 에피택셜 웨이퍼

2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형

Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

2인치 독립형 SI-GaN 기판

원문대로 에피택셜 웨이퍼

Beveling SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H 결정 형태 SiC 에피택셜 웨이퍼 웨이퍼 가장자리 베벨링 350.0um ± 25.0um

단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP

메시지를 남겨주세요

개인 정보 정책 | 중국 좋은 품질 GaN 에피택셜 웨이퍼 공급자. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.