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silicon carbide crystal 4h 온라인 제조

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구입하다 100.0 밀리미터 탄화 규소 결정 4 " Ｐ 등급 토폴리타입 4H 온라인으로 제조업체

100.0 밀리미터 탄화 규소 결정 4 " Ｐ 등급 토폴리타입 4H
접촉

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 4.0°±0.2° Politype 4H SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) ... 자세히보기
2022-10-09 10:12:00
구입하다 4" P 급료 실리콘 탄화물 결정 저항력 0.015ohm.cm에 0.028ohm.cm 온라인으로 제조업체

4" P 급료 실리콘 탄화물 결정 저항력 0.015ohm.cm에 0.028ohm.cm
접촉

4" P Grade SiC Seed Crystal Resistivity 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC is an excellent thermal conductor. Heat will ... 자세히보기
2022-09-27 17:35:24
구입하다 100.0 밀리미터 탄화 규소 결정 4 " Ｐ 등급 18.0 밀리미터 온라인으로 제조업체

100.0 밀리미터 탄화 규소 결정 4 " Ｐ 등급 18.0 밀리미터
접촉

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 0.015~0.028ohm.cm 18.0mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade Electronic devices formed in SiC can operate at ... 자세히보기
2022-09-27 17:01:26
구입하다 1차 플래트 길이 32.5 밀리미터 탄화 규소 결정 4 " Ｐ 등급 100.0 밀리미터 온라인으로 제조업체

1차 플래트 길이 32.5 밀리미터 탄화 규소 결정 4 " Ｐ 등급 100.0 밀리미터
접촉

Primary Flat Lengh 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage ... 자세히보기
2022-09-27 17:01:05
구입하다 0.015ohm.cm ~ 0.028ohm.cm 실리콘 카바이드 크리스탈 N 유형 온라인으로 제조업체

0.015ohm.cm ~ 0.028ohm.cm 실리콘 카바이드 크리스탈 N 유형
접촉

0.015~0.028ohm.Cm SiC Seed Crystal 4" P Grade N-Type Orientation 4.0°±0.2° SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC CRYSTAL is an ultra-high purity silicon ... 자세히보기
2022-09-27 17:01:16
구입하다 6inch 4H SiC 기판 N Type P SBD Grade 350μm 온라인으로 제조업체

6inch 4H SiC 기판 N Type P SBD Grade 350μm
접촉

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC boules ... 자세히보기
2022-10-24 10:23:04
구입하다 N 유형 6inch 4H 실리콘 카바이드 기판 기본 편평한 길이 47.5mm 온라인으로 제조업체

N 유형 6inch 4H 실리콘 카바이드 기판 기본 편평한 길이 47.5mm
접촉

6inch 4H-SiC substrate N-Type D Grade 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity 0.014Ω•cm—0.028Ω•cm for power and microwave devices Overview Silicon Carbide ... 자세히보기
2022-10-24 10:22:34
구입하다 4H 토폴리타입 단결정 실리콘 카바이드 Ｐ 등급 si 면 4명 " 온라인으로 제조업체

4H 토폴리타입 단결정 실리콘 카바이드 Ｐ 등급 si 면 4명 "
접촉

JDZJ01-001-001 SiC Seed Crystal 4" P Grade Si-Face 90°Cw.From Primary Flat±5° SiC Seed Crystal 4" PGrade The physical and electronic properties of SiC ... 자세히보기
2022-09-27 17:01:35
구입하다 힘 장치와 마이크로파 장치를 위한 260μm 실리콘 탄화물 기질 P 수준 온라인으로 제조업체

힘 장치와 마이크로파 장치를 위한 260μm 실리콘 탄화물 기질 P 수준
접촉

4H-N/SI260μm±25μm 2-Inch SiC Substrate P-Level For Power Devices And Microwave Devices JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm ... 자세히보기
2024-10-29 11:49:58
구입하다 Ｐ 수준 SI 유형 6 인치 4H SiC 세미 절연 기판 150 밀리미터 온라인으로 제조업체

Ｐ 수준 SI 유형 6 인치 4H SiC 세미 절연 기판 150 밀리미터
접촉

P-Level SI-Type 6inch 4H-SiC Semi insulating substrate 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm 6inch 4H-SiC substrate P-level SI-Type 350.0±25.0... 자세히보기
2022-10-24 10:21:46
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약

GaN 에피택셜 웨이퍼

2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형

Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

2인치 독립형 SI-GaN 기판

원문대로 에피택셜 웨이퍼

Beveling SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H 결정 형태 SiC 에피택셜 웨이퍼 웨이퍼 가장자리 베벨링 350.0um ± 25.0um

단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP

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