견적 요청 |
홈 제품 소개p type silicon substrate 온라인 제조업체
모든 제품

GaN 에피택셜 웨이퍼

(65)

원문대로 에피택셜 웨이퍼

(39)

GaAs 에피 웨이퍼

(15)

CVD 다이아몬드 기판

(15)

급속 열 처리 시스템

(2)

홀 효과 센서 테스터

(3)

알루미늄 질화물 웨이퍼

(21)

레이저다이오드 칩

(10)

탄화 규소 결정

(12)

Ga2O3 웨이퍼

(13)

실리콘 웨이퍼

(26)

사파이어 웨이퍼

(19)

무늬가 있는 사파이어 기판

(10)

테플론 웨이퍼 홀더

(1)

웨이퍼 다이싱 머신

(5)
인증
중국 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. 인증
제가 지금 온라인 채팅 해요

p type silicon substrate 온라인 제조

(81)
구입하다 100.0 밀리미터 탄화 규소 결정 4 " Ｐ 등급 토폴리타입 4H 온라인으로 제조업체

100.0 밀리미터 탄화 규소 결정 4 " Ｐ 등급 토폴리타입 4H
접촉

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 4.0°±0.2° Politype 4H SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) ... 자세히보기
2022-10-09 10:12:00
구입하다 100.0 밀리미터 탄화 규소 결정 4 " Ｐ 등급 18.0 밀리미터 온라인으로 제조업체

100.0 밀리미터 탄화 규소 결정 4 " Ｐ 등급 18.0 밀리미터
접촉

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 0.015~0.028ohm.cm 18.0mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade Electronic devices formed in SiC can operate at ... 자세히보기
2022-09-27 17:01:26
구입하다 1차 플래트 길이 32.5 밀리미터 탄화 규소 결정 4 " Ｐ 등급 100.0 밀리미터 온라인으로 제조업체

1차 플래트 길이 32.5 밀리미터 탄화 규소 결정 4 " Ｐ 등급 100.0 밀리미터
접촉

Primary Flat Lengh 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage ... 자세히보기
2022-09-27 17:01:05
구입하다 개별 소자 Si 기판 주가 수익률 P/P E/E G/G 서피스는 끝났습니다 온라인으로 제조업체

개별 소자 Si 기판 주가 수익률 P/P E/E G/G 서피스는 끝났습니다
접촉

Discrete Devices 2-Inch Silicon Wafer P/E,P/P,E/E,G/G Surface Finished 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For ... 자세히보기
2022-09-27 16:53:50
구입하다 6inch 4H SiC 기판 N Type P SBD Grade 350μm 온라인으로 제조업체

6inch 4H SiC 기판 N Type P SBD Grade 350μm
접촉

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC boules ... 자세히보기
2022-10-24 10:23:04
구입하다 5x10mm2 SP-Face 10-11 TTV ≤ 10μm 저항성 0.05 Ω·cm 온라인으로 제조업체

5x10mm2 SP-Face 10-11 TTV ≤ 10μm 저항성 0.05 Ω·cm
접촉

5*10mm2 SP-face (10-11) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN has ... 자세히보기
2025-04-27 11:43:51
구입하다 5*10mm2 SP 표면 (10-11) 도프하지 않은 SI 형태 프리-스탠딩 갈륨-질소 단결정체 기판 Resistivity &gt; 106 Ω·Cm RF 장치 온라인으로 제조업체

5*10mm2 SP 표면 (10-11) 도프하지 않은 SI 형태 프리-스탠딩 갈륨-질소 단결정체 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치
접촉

5*10mm2 SP-face (10-11) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Now a new material called ... 자세히보기
2025-04-04 22:43:36
구입하다 성장법 CZ 실리콘 웨이퍼 5 &quot; 배향 &lt;1-0-0&gt;, &lt;1-1-1&gt;, &lt;1-1-0&gt; 온라인으로 제조업체

성장법 CZ 실리콘 웨이퍼 5 " 배향 <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>
접촉

Growth Method CZ Silicon Wafer Orientation ,, 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices ... 자세히보기
2022-09-27 16:53:40
구입하다 350 ± 25μm 두께 도핑되지 않은 N형 독립적인 GaN 단일 크리스탈 기판 TTV ≤ 10μm 및 저항성 0.1 Ω·cm 온라인으로 제조업체

350 ± 25μm 두께 도핑되지 않은 N형 독립적인 GaN 단일 크리스탈 기판 TTV ≤ 10μm 및 저항성 0.1 Ω·cm
접촉

5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview ... 자세히보기
2025-04-27 11:43:51
구입하다 중요한 2 &quot; 실리콘 웨이퍼 표준 &lt;10 μm 최대 Capabilities&lt;5um 온라인으로 제조업체

중요한 2 " 실리콘 웨이퍼 표준 <10 μm 최대 Capabilities<5um
접촉

Prime 2" Silicon Wafer TTV(μm) Standard 자세히보기
2022-09-27 16:52:11
Page 5 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
약

GaN 에피택셜 웨이퍼

2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형

Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

2인치 독립형 SI-GaN 기판

원문대로 에피택셜 웨이퍼

Beveling SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H 결정 형태 SiC 에피택셜 웨이퍼 웨이퍼 가장자리 베벨링 350.0um ± 25.0um

단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP

메시지를 남겨주세요

개인 정보 정책 | 중국 좋은 품질 GaN 에피택셜 웨이퍼 공급자. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.