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p type silicon substrate 온라인 제조

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구입하다 티에치케이 430 um 사파이어 기판 결정 방위 C/M0.2 온라인으로 제조업체

티에치케이 430 um 사파이어 기판 결정 방위 C/M0.2
접촉

Thk 430μm Sapphire Substrate Wafer Crystal Orientation C/M0.2, OF Length (Mm) 16 LED Chip JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk ... 자세히보기
2023-02-17 10:18:05
구입하다 평평한 사파이어 기판 웨이퍼 티에치케이 440 um OF 길이 (밀리미터) 16개 LED 칩 온라인으로 제조업체

평평한 사파이어 기판 웨이퍼 티에치케이 440 um OF 길이 (밀리미터) 16개 LED 칩
접촉

50mm Sapphire Substrate Wafer Thk 430μm OF Length (Mm) 16 LED Chip JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal ... 자세히보기
2022-09-27 16:24:09
구입하다 A면 N형 프리스탠딩 GaN 갈륨 단결정 기판 비도핑 온라인으로 제조업체

A면 N형 프리스탠딩 GaN 갈륨 단결정 기판 비도핑
접촉

5*10.5mm2 A-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Power density is ... 자세히보기
2023-02-17 11:02:58
구입하다 Ｍ 표면 GaN 에피택셜 웨이퍼 자립형 GaN 기판 325 um TTV 10 um 온라인으로 제조업체

Ｍ 표면 GaN 에피택셜 웨이퍼 자립형 GaN 기판 325 um TTV 10 um
접촉

5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium Nitride ... 자세히보기
2022-10-08 17:04:46
구입하다 광전자 공학 연마 사파이어 크리스탈 웨이퍼 R 유형 온라인으로 제조업체

광전자 공학 연마 사파이어 크리스탈 웨이퍼 R 유형
접촉

Thk 430μm 50mm Sapphire Substrate Wafer Crystal Orientation C/M0.2, OF Length (Mm) 16 LED Chip JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , ... 자세히보기
2023-02-17 11:22:48
구입하다 JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((오프 6°) Fe 도핑 된 자유 서 있는 Ga2O3 단일 크리스탈 기판 제품 등급 단일 닦기 온라인으로 제조업체

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((오프 6°) Fe 도핑 된 자유 서 있는 Ga2O3 단일 크리스탈 기판 제품 등급 단일 닦기
접촉

10x10mm2 100(off 6°) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤5nm ... 자세히보기
2025-04-27 11:43:51
구입하다 5x10mm2 GaN 에피택셜 웨이퍼 비도핑 SI 유형 온라인으로 제조업체

5x10mm2 GaN 에피택셜 웨이퍼 비도핑 SI 유형
접촉

5*10mm2 Free-Standing GaN Single Crystal Substrate (20-21)/(20-2-1) Un-Doped SI-Type 5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped SI-type free-standing ... 자세히보기
2024-10-29 11:49:57
구입하다 광통신 갈륨 비소 기판 LED 온라인으로 제조업체

광통신 갈륨 비소 기판 LED
접촉

2inch GaAs (100) Undoped Substrates Overview Gallium arsenide is used in the manufacture of light-emitting diode s (LEDs), which are found in optical ... 자세히보기
2022-10-09 09:53:08
구입하다 0.015ohm.cm ~ 0.028ohm.cm 실리콘 카바이드 크리스탈 N 유형 온라인으로 제조업체

0.015ohm.cm ~ 0.028ohm.cm 실리콘 카바이드 크리스탈 N 유형
접촉

0.015~0.028ohm.Cm SiC Seed Crystal 4" P Grade N-Type Orientation 4.0°±0.2° SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC CRYSTAL is an ultra-high purity silicon ... 자세히보기
2022-09-27 17:01:16
구입하다 4&quot; P 급료 실리콘 탄화물 결정 저항력 0.015ohm.cm에 0.028ohm.cm 온라인으로 제조업체

4" P 급료 실리콘 탄화물 결정 저항력 0.015ohm.cm에 0.028ohm.cm
접촉

4" P Grade SiC Seed Crystal Resistivity 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC is an excellent thermal conductor. Heat will ... 자세히보기
2022-09-27 17:35:24
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약

GaN 에피택셜 웨이퍼

2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형

Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

2인치 독립형 SI-GaN 기판

원문대로 에피택셜 웨이퍼

Beveling SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H 결정 형태 SiC 에피택셜 웨이퍼 웨이퍼 가장자리 베벨링 350.0um ± 25.0um

단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP

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