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p type silicon substrate 온라인 제조

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구입하다 2인치 가너 실리콘 블루 LD 에피 웨이퍼 가너 블루 레이저 실리콘 온라인으로 제조업체

2인치 가너 실리콘 블루 LD 에피 웨이퍼 가너 블루 레이저 실리콘
접촉

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) ... 자세히보기
2024-12-06 17:35:32
구입하다 평면 표면 방향 사파이어 웨이퍼 거울 광택 EPI 준비 온라인으로 제조업체

평면 표면 방향 사파이어 웨이퍼 거울 광택 EPI 준비
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A-Plane(11-20) Surface Orientation Sapphire Wafer Front Surface Quality Mirror Polished,EPI-Ready JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate ... 자세히보기
2023-02-17 10:18:27
구입하다 자립형 Ｕ / SI GaN 에피택셜 웨이퍼 50.8 밀리미터 350 um 온라인으로 제조업체

자립형 Ｕ / SI GaN 에피택셜 웨이퍼 50.8 밀리미터 350 um
접촉

2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates 50.8 ± 1 mm 350 ± 25 μm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate ... 자세히보기
2022-10-08 17:12:14
구입하다 50.8 밀리미터 질화갈륨 반도체 웨이퍼 2 인치 자립형 온라인으로 제조업체

50.8 밀리미터 질화갈륨 반도체 웨이퍼 2 인치 자립형
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50.8 ± 1 mm 2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates (1-100) ± 0.5o, 16 ± 1 mm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal ... 자세히보기
2022-10-08 17:22:16
구입하다 4-인치 마그네슘 도프된 GaN/Sapphire 기판 SSP Resistivity~10Ω cm LED 레이저 핀 에피택셜 웨이퍼 온라인으로 제조업체

4-인치 마그네슘 도프된 GaN/Sapphire 기판 SSP Resistivity~10Ω cm LED 레이저 핀 에피택셜 웨이퍼
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4 inch P-type Mg-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity~10Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer Why Use GaN Wafers? Gallium Nitride on sapphire is ... 자세히보기
2025-04-04 22:43:47
구입하다 50 밀리미터 사파이어 웨이퍼 R9 반사경은 EPI 준비된 웨이퍼 에지 Ｒ 타입을 닦았습니다 온라인으로 제조업체

50 밀리미터 사파이어 웨이퍼 R9 반사경은 EPI 준비된 웨이퍼 에지 Ｒ 타입을 닦았습니다
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High Purity Al2O3＞99.995% R9 Mirror Polished EPI-Ready Wafer edge R-type JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal ... 자세히보기
2023-02-17 10:17:17
구입하다 6 인치 SiC 에피택셜 웨이퍼 온라인으로 제조업체

6 인치 SiC 에피택셜 웨이퍼
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P-SBD Grade 6inch 4H-SiC substrate N-Type Off-Axis:4°toward ±0.5 ° 6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Resistivity 0... 자세히보기
2022-10-09 16:56:20
구입하다 47.5 밀리미터 ± 1.5 밀리미터 SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 밀리미터 +0mm/-0.2mm은 to<11-20>±1을 평행시킵니다' 온라인으로 제조업체

47.5 밀리미터 ± 1.5 밀리미터 SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 밀리미터 +0mm/-0.2mm은 to<11-20>±1을 평행시킵니다'
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47.5 mm ± 1.5 mm SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm Parallel to±1° JDCD03-001-003 Overview Currently, there are two main types of SiC wafers. ... 자세히보기
2024-10-29 11:49:58
구입하다 4H SiC 에피택셜 웨이퍼 0.015Ωocm-0.025ΩoCm ≤4000/cm2150.0 밀리미터 +0mm/-0.2mm 온라인으로 제조업체

4H SiC 에피택셜 웨이퍼 0.015Ωocm-0.025ΩoCm ≤4000/cm2150.0 밀리미터 +0mm/-0.2mm
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4H SiC Epitaxial Wafer 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm ≤4000/cm2 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-003 Overview The next type is beta silicon carbide. Beta SiC is ... 자세히보기
2024-10-29 11:49:58
구입하다 2인치 전력 장치 고전자 이동성 트랜지스터 에피타시얼 웨이퍼 온라인으로 제조업체

2인치 전력 장치 고전자 이동성 트랜지스터 에피타시얼 웨이퍼
접촉

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) ... 자세히보기
2024-12-06 17:41:10
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약

GaN 에피택셜 웨이퍼

2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형

Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

2인치 독립형 SI-GaN 기판

원문대로 에피택셜 웨이퍼

Beveling SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H 결정 형태 SiC 에피택셜 웨이퍼 웨이퍼 가장자리 베벨링 350.0um ± 25.0um

단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP

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