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wafer cassette carrier 온라인 제조

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구입하다 꽃 바구니와 손잡이를 청소하는 6inch 테플론 웨이퍼 홀더 온라인으로 제조업체

꽃 바구니와 손잡이를 청소하는 6inch 테플론 웨이퍼 홀더
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6inch Wafer Holder Cleaning Flower Baskets And Handles PFA Cassette / Cassette of wafer can be customized and designed by customers’ request, able to ... 자세히보기
2022-10-09 10:46:01
구입하다 사파이어 웨이퍼 SSP Resistivity<0.05 Ω 센티미터 LED, 레이저, 핀 에피택셜 웨이퍼 위의 4 인치 n형 실리콘 도핑 갈륨-질화갈륨 온라인으로 제조업체

사파이어 웨이퍼 SSP Resistivity<0.05 Ω 센티미터 LED, 레이저, 핀 에피택셜 웨이퍼 위의 4 인치 n형 실리콘 도핑 갈륨-질화갈륨
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4 inch N-type Si-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity＜0.05 Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer For lightly Si-doped GaN ([Si] = 2.1 × 1016 cm... 자세히보기
2025-04-04 22:42:55
구입하다 4-인치 마그네슘 도프된 GaN/Sapphire 기판 SSP Resistivity~10Ω cm LED 레이저 핀 에피택셜 웨이퍼 온라인으로 제조업체

4-인치 마그네슘 도프된 GaN/Sapphire 기판 SSP Resistivity~10Ω cm LED 레이저 핀 에피택셜 웨이퍼
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4 inch P-type Mg-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity~10Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer Why Use GaN Wafers? Gallium Nitride on sapphire is ... 자세히보기
2025-04-04 22:43:47
구입하다 4인치 N형 UID 도핑된 GaN 사파이어 웨이퍼 SSP 비저항&gt;0.5 Ω cm LED, 레이저, PIN 에피택셜 웨이퍼 온라인으로 제조업체

4인치 N형 UID 도핑된 GaN 사파이어 웨이퍼 SSP 비저항>0.5 Ω cm LED, 레이저, PIN 에피택셜 웨이퍼
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4 inch N-type UID-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity＞0.5 Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer For example, GaN is the substrate which makes ... 자세히보기
2025-04-04 22:43:54
구입하다 4인치 P형 Mg 도핑된 GaN 사파이어 웨이퍼 SSP 비저항~10Ω Cm LED 레이저 PIN 에피택셜 웨이퍼 온라인으로 제조업체

4인치 P형 Mg 도핑된 GaN 사파이어 웨이퍼 SSP 비저항~10Ω Cm LED 레이저 PIN 에피택셜 웨이퍼
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4 inch P-type Mg-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity~10Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer The electrical properties of p-type Mg-doped GaN ... 자세히보기
2025-04-04 22:43:49
구입하다 반도체 화합물 2inch GaAs Epi 웨이퍼 GaAs Si 웨이퍼 UKAS 온라인으로 제조업체

반도체 화합물 2inch GaAs Epi 웨이퍼 GaAs Si 웨이퍼 UKAS
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GaAs-Si Wafer 2inch GaAs (100) Undoped Substrates (100)15°±0.5° Off TowardA Overview Gallium arsenide (chemical formula GaAs) is a semiconductor ... 자세히보기
2022-09-27 17:18:19
구입하다 18 밀리미터 비소화 갈륨 Si 웨이퍼 2는 비소화 갈륨 언도핑된 기판 VGF S-C-N으로 조금씩 움직입니다 온라인으로 제조업체

18 밀리미터 비소화 갈륨 Si 웨이퍼 2는 비소화 갈륨 언도핑된 기판 VGF S-C-N으로 조금씩 움직입니다
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2inch GaAs (100) Undoped Substrates Overview GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors, ... 자세히보기
2022-10-09 09:53:40
구입하다 150.0 mm + 0mm / -0.2mm SiC 에피택셜 웨이퍼 4H 결정형 온라인으로 제조업체

150.0 mm + 0mm / -0.2mm SiC 에피택셜 웨이퍼 4H 결정형
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150.0 mm +0mm/-0.2mm Sic Epitaxial Wafer Off-Axis:4°Toward ±0.5 ° JDCD03-001-004 Overview A SiC wafer is a semiconductor made of silicon. Its flatness... 자세히보기
2022-10-24 10:20:57
구입하다 2인치 독립형 SI-GaN 기판 온라인으로 제조업체

2인치 독립형 SI-GaN 기판
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2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices To reduce the Fe trapping carrier and the ... 자세히보기
2024-10-14 17:06:30
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약

GaN 에피택셜 웨이퍼

2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형

Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

2인치 독립형 SI-GaN 기판

원문대로 에피택셜 웨이퍼

Beveling SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H 결정 형태 SiC 에피택셜 웨이퍼 웨이퍼 가장자리 베벨링 350.0um ± 25.0um

단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP

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